金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

更新時(shí)間：2024-05-10

簡(jiǎn)要描述：

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家瀏覽量：5325

品牌	飛諾飛	產(chǎn)地類(lèi)別	國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,能源

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

型號(hào)	工作電壓	對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型探測(cè)器（Am-241 面源）真空下測(cè)量能量分辯率1.2%	對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型探測(cè)器（Am-241 面源）真空下測(cè)量峰道址 202
A-AS20	5~300VDC	大于1000	204~206
A-AS26	5~300VDC	大于1000	204~206
B-AS20	5~300VDC	大于1000	189-191
B-AS26	5~300VDC	大于1000	189-191

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